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HM772

产品描述-30V -3A PNP外延平面型晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小55KB,共6页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HM772概述

-30V -3A PNP外延平面型晶体管

功能特点

产品名称:-30V -3A PNP外延平面型晶体管


产品型号:HM772


产品说明:


The HM772 is designed for use in output stage of amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and driver.






参数:


Type: PNP


BVCEO: -30V


IC: -3A


PD: 2W


hFE: MIN 100


hFE: Max. 500


VCE(sat): Max. -0.5V


RoHS: PF(无铅)


Package: SOT-89


HM772文档预览

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE9515
Issued Date : 1997.06.05
Revised Date : 2004.06.17
Page No. : 1/6
HM772
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HM772 is designed for use in output stage of amplifier, voltage regulator, DC-
DC converter and driver.
SOT-89
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25°C) .......................................................................................................... 0.5 W
Total Power Dissipation (Ta=25°C) .............................................................................................................. 2 W
Total Power Dissipation (Tc=25°C).............................................................................................................. 1 W
Total Power Dissipation (Tc=25°C) .............................................................................................................. 4 W
(Note1)
(Note2)
(Note1)
(Note2)
Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)
V
CBO
Collector to Base Voltage .......................................................................................................................... -40 V
V
CEO
Collector to Emitter Voltage ....................................................................................................................... -30 V
V
EBO
Emitter to Base Voltage ............................................................................................................................... -5 V
I
C
Collector Current (continuous) ......................................................................................................................... -3 A
I
C
Collector Current (pulse) .......................................................................................................................... -7 A
(Note3)
Thermal Characteristic
Characteristic
Thermal Resistance, junction to ambient
(Note1)
Thermal Resistance, junction to ambient
(Note2)
Thermal Resistance, junction to case
(Note1)
Thermal Resistance, junction to case
(Note2)
Note1: When tested in free air condition, without heat sinking.
Note2: When mounted on a 40X40X1mm ceramic board.
Note3: Single pulse PW=1ms
Symbol
R
θja
R
θja
R
θjc
R
θjc
Max.
250
62.5
125
31.25
Unit
o
o
o
o
C/W
C/W
C/W
C/W
HM772
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