电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

PTF10053

产品描述12 watts, 2.0 ghz goldmos field effect transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共6页
制造商Ericsson
官网地址http://www.ericsson.com
下载文档 详细参数 全文预览

PTF10053在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
PTF10053 - - 点击查看 点击购买

PTF10053概述

12 watts, 2.0 ghz goldmos field effect transistor

PTF10053规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Ericsson
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2
针数2
制造商包装代码CASE 20244
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)58 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

开源项目推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 219  337  632  759  1499 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved