12 watts, 2.0 ghz goldmos field effect transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Ericsson |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | CASE 20244 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 58 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
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