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HBC856

产品描述-65V -0.1A PNP外延平面型晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小38KB,共4页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HBC856概述

-65V -0.1A PNP外延平面型晶体管

功能特点

产品名称:-65V -0.1A PNP外延平面型晶体管


产品型号:HBC856


产品说明:


The HBC856 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits.



参数:


Type: PNP


BVCEO: -65V


IC: -0.1A


PD: 0.225W


hFE: MIN 115


hFE: Max. 800


VCE(sat): Max.-0.3V


RoHS: PF(无铅)


Package: SOT-23

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6832
Issued Date : 1994.02.03
Revised Date : 2004.09.01
Page No. : 1/4
HBC856
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HBC856 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable for
automatic insertion in thick and thin-film circuits.
SOT-23
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature.......................................................................................................................... -55 to +150
°C
Junction Temperature.................................................................................................................................... +150
°C
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25°C)............................................................................................................... 225 mW
Maximum Voltages and Currents (T
A
=25°C)
V
CBO
Collector to Base Voltage .......................................................................................................................... -80 V
V
CEO
Collector to Emitter Voltage....................................................................................................................... -65 V
V
EBO
Emitter to Base Voltage ............................................................................................................................... -5 V
I
C
Collector Current ....................................................................................................................................... -100 mA
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
*V
CE(sat)1
*V
CE(sat)2
*V
BE(sat)1
*V
BE(sat)2
V
BE(on)1
V
BE(on)2
*h
FE
f
T
Cob
Min.
-80
-65
-5
-
-
-
-
-
-600
-
75
-
-
Typ.
-
-
-
-
-75
-250
-700
-850
-
-
-
150
4.5
Max.
-
-
-
-15
-300
-650
-
-
-750
-820
800
-
-
MHz
pF
Unit
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-100uA
I
C
=-1mA
I
E
=-10uA
V
CB
=-30V
I
C
=-10mA, I
B
=-0.5mA
I
C
=-100mA, I
B
=-5mA
I
C
=-10mA, I
B
=-0.5mA
I
C
=-100mA, I
B
=-5mA
V
CE
=-5V, I
C
=-2mA
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA
V
CE
=-5V, I
C
=-2mA
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
Classification Of hFE
Rank
hFE
9AA(A)
125-250
9AB(B)
220-475
9AC(C)
420-800
9A(Normal)
75-475
HBC856
HSMC Product Specification
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