电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HBD675

产品描述npn epitaxial planar transistor
文件大小32KB,共3页
制造商台湾华昕(HSMC)
下载文档 全文预览

HBD675概述

npn epitaxial planar transistor

HBD675文档预览

下载PDF文档
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6619-C
Issued Date : 1994.07.22
Revised Date : 2000.10.01
Page No. : 1/3
HBD675
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HBD675 is designed for use as output devices in
complementary general purpose amplifier applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................ -50 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 20 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage ...................................................................................... 45 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 45 V
BVEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 5 V
IC Collector Current .............................................................................................................. 4 A
IB Base Current ................................................................................................................ 0.1 A
Electrical Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(on)
*hFE
Min.
45
45
5
-
-
-
-
-
750
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
500
200
2
2.5
2.5
-
Unit
V
V
V
uA
uA
mA
V
V
Test Conditions
IC=1mA
IC=50mA
IE=100uA
VCE=25V
VCB=45V
VBE=5V
IC=1.5A, IB=30mA
IC=1.5A, VCE=3V
IC=1.5A, VCE=3V
*Pulse Test : Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
HSMC Product Specification
去耦电容怎么用?
想做个STM32电路板,发现参考电路图上有好多104的去耦电容,选择多少个电容合适?电路板布局时,这些电容如何摆放,是分散布局吗?...
ufozhao202 PCB设计
用C语言如何编写由NE555频率到电容的程序算法?(用1602显示)
现在能够用1602显示555定时器所产生的的频率值,但我想通过1602显示待测电容值,公式已知,各元器件参数为如图(标号R50=100K,R2=500K,C10=0.01UF),测量红框中的电容值CX并用1602显示。计算电 ......
jljtwkn 51单片机
电路设计中基本问题求助
1电路原理图中电阻的注释为:0603-10K/J什么意思啊,我知道0603是封装。。。10K/J什么意思啊? 2 看电路原理图时,怎么知道电容是陶瓷电容还是钽电容呢?...
liuxiaopei 微控制器 MCU
LM3S系列函数库
LM3S系列M3常用函数库,UART、IIC、CAN、USB等等,,基于keil的,下载前请确认。...
kevinrobot ARM技术
一些关于FPGA的IP核资料共享
一些关于FPGA的IP核资料共享 ...
青城山下 FPGA/CPLD
如何用STM32的TIM1产生 带死区的互补PWM
小弟初学STM32,现想用定时器TIM1产生带死区的互补PWM脉宽 来驱动全桥逆变,之前是用调死区来调节占空比,但是这样占空比只能调节一点点,才几微妙,肯定各位大哥大姐指点一下,一个项目卡在这 ......
asd54255 stm32/stm8
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved