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HJ772

产品描述-30V -3A PNP 外延平面型晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小66KB,共5页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HJ772概述

-30V -3A PNP 外延平面型晶体管

功能特点

产品名称:-30V -3A PNP 外延平面型晶体管


产品型号:HJ772


产品描述:


The HJ772 is designed for using in output stage of 10 W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver.



参数:


Type: PNP


BVCEO: -30V


IC: -3A


PD: 10W


hFE: MIN 100


hFE: Max. 500


VCE(sat): Max. -0.5V


RoHS: PF(无铅)


Package: TO-252


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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6015
Issued Date : 1996.04.12
Revised Date : 2008.06.19
Page No. : 1/5
HJ772
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HJ772 is designed for using in output stage of 10 W audio amplifier, voltage regulator,
DC-DC converter and relay driver.
TO-252
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25°C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................................................................. -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ..................................................................................................................................................... +150
°C
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25°C) ..................................................................................................................................... 1.4 W
Total Power Dissipation (T
C
=25°C) ...................................................................................................................................... 10 W
Maximum Voltages and Currents
BV
CBO
Collector to Base Voltage ......................................................................................................................................... -40 V
BV
CEO
Collector to Emitter Voltage ...................................................................................................................................... -30 V
BV
EBO
Emitter to Base Voltage .............................................................................................................................................. -5 V
I
C
Collector Current (DC) ....................................................................................................................................................... -3 A
I
C
Collector Current (Pulse) ................................................................................................................................................... -7 A
I
B
Base Current (DC) ...................................................................................................................................................... -600 mA
Thermal Characteristic
Characteristic
Thermal Resistance, junction to case
Symbol
R
θ
jc
Max.
12.5
Unit
o
C/W
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE(sat)
*V
BE(sat)
*h
FE1
*h
FE2
f
T
Cob
Min.
-40
-30
-5
-
-
-
-
30
100
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-1
-
-
80
55
Max.
-
-
-
-1
-1
-0.5
-2
-
500
-
-
MHz
pF
Unit
V
V
V
uA
uA
V
V
I
C
=-100uA, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0
I
E
=-10uA, I
C
=0
V
CB
=-30V, I
E
=0
V
EB
=-3V, I
C
=0
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
V
CE
=-2V, I
C
=-20mA
V
CE
=-2V, I
C
=-1A
V
CE
=-5V, I
C
=-0.1A, f=100MHz
V
CB
=-10V, f=-1MHz, I
E
=0
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
Classification Of h
FE2
Rank
Range
P
160-320
HJ772
HSMC Product Specification
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