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HJ340

产品描述npn epitaxial planar transistor
文件大小33KB,共3页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HJ340概述

npn epitaxial planar transistor

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6012-B
Issued Date : 1996.04.12
Revised Date : 2000.11.01
Page No. : 1/3
HJ340
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HJ340 is designed for line operated audio output amplifier,
switch mode power supply drivers and other switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................ -55 ~ +150
°C
Junction Temperature .................................................................................................... +150
°C
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 15 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage .................................................................................... 300 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 300 V
BVEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 3 V
IC Collector Current ....................................................................................................... 500 mA
Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*hFE
Min.
300
300
3
-
-
30
Typ.
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
100
240
Unit
V
V
V
uA
uA
Test Conditions
IC=100uA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=0.1mA, IC=0
VCB=300V, IE=0
VEB=3V, IC=0
VCE=10V, IC=50mA
*Pulse Test : Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
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