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HSB857D

产品描述-50V -3A PNP外延平面晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小42KB,共4页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HSB857D概述

-50V -3A PNP外延平面晶体管

功能特点

产品名称:-50V -3A PNP外延平面晶体管


产品型号:HSB857D


产品描述:


Low frequency power amplifier.



参数:


Type: PNP


BVCEO: -50V


IC: -3A


PD: 10W


hFE: MIN 170


hFE: Max. 400


VCE(sat): Max. -1V


RoHS: PF(无铅)


Package: TO-126ML


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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6705
Issued Date : 1995.01.27
Revised Date : 2005.08.18
Page No. : 1/4
HSB857D
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Low frequency power amplifier.
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25°C)
TO-126ML
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................................................. -50~+150
°C
Junction Temperature ................................................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25°C) .................................................................................................................... 1.5 W
Total Power Dissipation (T
C
=25°C) ..................................................................................................................... 10 W
Maximum Voltages and Currents
BV
CBO
Collector to Base Voltage......................................................................................................................... -60 V
BV
CEO
Collector to Emitter Voltage..................................................................................................................... -50 V
BV
EBO
Emitter to Base Voltage............................................................................................................................. -5 V
I
C
Collector Current .............................................................................................................................................. -3 A
I
CP
Collector Current (I
C
Peak) .......................................................................................................................... -4.5 A
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
*V
CE(sat)
*V
BE(sat)
*h
FE
f
T
Min.
-60
-50
-5
-
-
-
-
-
170
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-0.3
-
-
15
Max.
-
-
-
-1
-1
-1
-1
-1.5
400
-
MHz
Unit
V
V
V
uA
uA
uA
V
V
I
C
=-50uA
I
C
=-1mA
I
E
=-50uA
V
CB
=-50V
V
CE
=-40V
V
EB
=-4V
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
I
C
=-2A, I
B
=-0.2A
I
C
=-500mA, V
CE
=-3V
V
CE
=-5V, I
C
=-500mA, f=100MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
HSB857D
HSMC Product Specification
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