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H2N6718V

产品描述100V 1A NPN外延平面晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小44KB,共5页
制造商台湾华昕(HSMC)
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H2N6718V概述

100V 1A NPN外延平面晶体管

功能特点

产品名称:100V 1A NPN外延平面晶体管


产品型号:H2N6718V


产品说明:


The H2N6718V is designed for general purpose medium power amplifier and switching



参数:


Type: NPN


BVCEO: 100V


IC: 1A


PD: 1.6W


hFE: MIN 50


hFE: Max. 250


VCE(sat): Max. 0.35V


RoHS: PF(无铅)


Package: TO-126ML


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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6616
Issued Date : 1993.09.24
Revised Date : 2005.08.16
Page No. : 1/5
H2N6718V
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The H2N6718V is designed for general purpose medium power amplifier and
switching.
Absolute Maximum Ratings
TO-126ML
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25°C)................................................................................................................... 1.6 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................................................... 100 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................................................. 100 V
BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................................................... 5 V
IC Collector Current ............................................................................................................................................... 1 A
Electrical Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
*V
CE(sat)
*h
FE1
*h
FE2
*h
FE3
f
T
Cob
Min.
100
100
5
-
-
80
50
20
50
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
350
-
250
-
-
20
MHz
pF
Unit
V
V
V
nA
mV
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=10uA, I
C
=0
V
CB
=80V, I
E
=0
I
C
=350mA, I
B
=35mA
I
C
=50mA, V
CE
=1V
I
C
=250mA, V
CE
=1V
I
C
=500mA, V
CE
=1V
V
CE
=10V, I
C
=50mA, f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz, I
E
=0
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
I
C
=100uA, I
E
=0
H2N6718V
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