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HA8050S

产品描述20V 0.7A NPN 外延平面型晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小54KB,共5页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HA8050S概述

20V 0.7A NPN 外延平面型晶体管

功能特点

产品名称:20V 0.7A NPN 外延平面型晶体管


产品型号:HA8050S


产品描述:


The HA8050S is designed for general purpose amplifier applications.



产品特征:


High DC Current Gain (hFE=100~500 at Ic=150mA)


Complementary to HA8550S




参数:


Type: NPN


BVCEO: 20V


IC: 0.7A


PD: 0.625W


hFE: MIN 100


hFE: Max. 500


VCE(sat): Max. 0. 5V


RoHS: PF(无铅)


Package: TO-92


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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6116
Issued Date : 1997.09.08
Revised Date : 2005.01.20
Page No. : 1/5
HA8050S
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HA8550S is designed for general purpose amplifier applications.
Features
High DC Current Gain (h
FE
=100~500 at I
C
=150mA)
Complementary to HA8550S
TO-92
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25°C) ............................................................................................................... 625 mW
Maximum Voltages and Currents (T
A
=25°C)
V
CBO
Collector to Base Voltage ........................................................................................................................... 25 V
V
CEO
Collector to Emitter Voltage ........................................................................................................................ 20 V
V
EBO
Emitter to Base Voltage ................................................................................................................................ 5 V
I
C
Collector Current ........................................................................................................................................ 700 mA
Electrical Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE(sat)
V
BE(on)
*h
FE1
*h
FE2
f
T
Cob
Min.
25
20
5
-
-
-
-
100
-
150
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
170
-
-
Max.
-
-
-
1
100
0.5
1
500
-
-
10
MHz
pF
Unit
V
V
V
uA
nA
V
V
I
C
=10uA
I
C
=1mA
I
E
=10uA
V
CB
=20V
V
EB
=6V
I
C
=0.5A, I
B
=50mA
V
CE
=1V, I
C
=150mA
V
CE
=1V, I
C
=150mA
V
CE
=1V, I
C
=500mA
V
CE
=10V, I
C
=20mA, f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
Classification on hFE
Rank
hFE1
C
100~200
D
150~300
E
250-500
HA8050S
HSMC Product Specification
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