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HMJE3055T

产品描述60V 10A NPN外延平面型晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小42KB,共4页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HMJE3055T概述

60V 10A NPN外延平面型晶体管

功能特点

产品名称:60V 10A NPN外延平面型晶体管


产品型号:HMJE3055T


产品描述:


The HMJE2955T is designed for general purpose of amplifier and switching applications.



参数:


Type: NPN


BVCEO: 60V


IC: 10A


PD: 75W


hFE: MIN 20


hFE: Max. 100


VCE(sat): Max. 1.1V


RoHS: PF(无铅)


Package: TO-220AB


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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6737
Issued Date : 1993.09.24
Revised Date : 2004.11.19
Page No. : 1/4
HMJE3055T
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HMJE3055T is designed for general purpose of amplifier and switching
applications.
TO-220
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25°C)
Maximum Temperature
Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ..................................................................................................................... 150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
C
=25°C) .................................................................................................................... 75 W
Total Power Dissipation (T
A
=25°C) ................................................................................................................... 0.6 W
Maximum Voltages and Currents (T
A
=25°C)
BV
CBO
Collector to Base Voltage......................................................................................................................... 70 V
BV
CEO
Collector to Emitter Voltage...................................................................................................................... 60 V
BV
EBO
Emitter to Base Voltage.............................................................................................................................. 5 V
I
C
Collector Current ............................................................................................................................................. 10 A
I
B
Base Current ...................................................................................................................................................... 6 A
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Symbol
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
CEO
I
EBO
*V
CE(sat)1
*V
CE(sat)2
*V
BE(on)
*h
FE1
*h
FE2
f
T
Min.
60
70
5
-
-
-
-
-
-
-
20
5
2
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
1.
1.
700
5
1.1
8.0
1.8
100
-
-
MHz
Unit
V
V
V
mA
mA
uA
mA
V
V
V
I
C
=10mA, I
E
=0
I
E
=10mA, I
C
=0
V
CB
=70V, I
E
=0
V
CE
=70V, V
EB(off)
=1.5V
V
CE
=30V, I
B
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
I
C
=4A, I
B
=400mA
I
C
=10A, I
B
=3.3A
I
C
=4A, V
CE
=4V
I
C
=4A, V
CE
=4V
I
C
=10A, V
CE
=4V
V
CE
=10V, I
C
=500mA, f=0.5MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
I
C
=200mA, I
B
=0
HMJE3055T
HSMC Product Specification
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