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ER3C_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小137KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER3C_R1_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

ER3C_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ER3A~ER3J
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications
0.128(3.25)
0.108(2.75)
0.245(6.22)
0.220(5.59)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
50 to 600 Volts
CURRENT
3 Amperes
• High temperature metallurgically bonded-no compression
contacts as found in other diode-constructed rectifiers
• Glass passivated junction
• Easy pick and place
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Indicated by cathode band
• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
M a xi m um Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
M a xi m um RMS Vo lta g e
M a xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
M a xi m um A ve r a g e F o r wa r d C ur r e nt a t T
L
=7 5
O
C
P e a k F o r wa r d S ur g e C ur r e nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne - wa ve
s up e r i mp o s e d o n r a t e d lo a d ( J E D E C me tho d )
M a xi m um F o r wa r d Vo lta g e a t 3 A
M a xi m um D C Re ve rs e C ur r e nt a t Ra te d D C B lo c k i ng
Vo lta g e
M a xi m um Re ve r s e Re c o ve ry Ti me ( No te s 1 )
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i t a nc e ( No te s 2 )
Typ i c a l The r ma l Re s i s ta nc e ( No t e s 3 )
Op e ra ti ng a nd S to r a g e Te mp e ra tur e Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL E R3 A E R3 B E R3 C E R3 D E R3 E E R3 G E R3 J UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJ
L
T
J
,T
S TG
0 .9 5
1
200
35
45
16
- 5 5 t o +1 5 0
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
3
100
1.25
1 .7
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
V
μ
A
ns
pF
O
C /
W
C
O
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
October 23,2012-REV.06
PAGE . 1
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