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DS1250W

产品描述512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32
产品类别存储    存储   
文件大小217KB,共11页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1250W概述

512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32

DS1250W规格参数

参数名称属性值
厂商名称DALLAS
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间150 ns
其他特性10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码R-XDMA-N32
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

DS1250W相似产品对比

DS1250W DS1250WP-150 DS1250WP-150-IND
描述 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA34 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32
厂商名称 DALLAS DALLAS DALLAS
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最长访问时间 150 ns 150 ns 150 ns
其他特性 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD 10 YEARS MINIMUM DATA RETENTION 10 YEARS MINIMUM DATA RETENTION
JESD-30 代码 R-XDMA-N32 R-XDMA-U34 R-XDMA-U34
内存密度 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bi
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 32 34 34
字数 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD J INVERTED J INVERTED
端子位置 DUAL DUAL DUAL
包装说明 - POWERCAP MODULE-34 POWERCAP MODULE-34
封装等效代码 - MODULE,34LEAD,1.0 MODULE,34LEAD,1.0
电源 - 3.3 V 3.3 V
最大待机电流 - 0.00015 A 0.00015 A
最大压摆率 - 0.085 mA 0.085 mA
最大供电电压 (Vsup) - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) - 3 V 3 V
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