Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOJ-I, |
| 针数 | 34 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| 其他特性 | OVER 10 YEARS DATA RETENTION |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-U34 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.5745 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 34 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ-I |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 6.35 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J INVERTED |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 21.5265 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| DS1350ABLPM-100 | DS1350YLPM-100 | DS1350YLPM-70 | DS1350ABLPM-70 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDFP34 | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
| 包装说明 | SOJ-I, | SOJ-I, | SOJ-I, | SOJ-I, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | 70 ns | 70 ns |
| 其他特性 | OVER 10 YEARS DATA RETENTION | OVER 10 YEARS DATA RETENTION | OVER 10 YEARS DATA RETENTION | OVER 10 YEARS DATA RETENTION |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-U34 | R-PDSO-U34 | R-PDSO-U34 | R-PDSO-U34 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 24.5745 mm | 24.5745 mm | 24.5745 mm | 24.5745 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 34 | 34 | 34 | 34 |
| 字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ-I | SOJ-I | SOJ-I | SOJ-I |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 6.35 mm | 6.35 mm | 6.35 mm | 6.35 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | J INVERTED | J INVERTED | J INVERTED | J INVERTED |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 21.5265 mm | 21.5265 mm | 21.5265 mm | 21.5265 mm |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | - | SOIC |
| 针数 | 34 | 34 | - | 34 |
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