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UF1003_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF1003_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

UF1003_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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UF1000~UF1006
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
CURRENT
VOLTAGE
50 to 600 Volts
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• Ultra fast recovery time, high voltage.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
10 Amperes
MECHANCAL DATA
• Case: TO-220AC molded plastic
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo lt a g e
Ma xi m um RM S Vo lt a g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lt a g e
Ma xi m um A ve r a g e F o r wa r d C ur r e nt a t T
C
= 1 0 0
O
C
P e a k F o r wa r d S ur g e C ur r e nt : 8 .3 m s s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e r i mp o s e d o n r a t e d lo a d ( J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o r wa r d Vo lta g e a t 1 0 A
Ma xi m um D C Re ve r s e C ur r e nt a t Ra te d D C T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 2 5
O
C
B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i t a nc e ( No t e 1 )
Ma xi m um Re ve r s e Re c o ve r y Ti m e ( No te 2 )
Typ i c a l The r ma l Re s i s t a nc e ( No te 3 )
Op e r a ti ng J unc t i o n a nd S to r a g e Te m p e r a tur e Ra ng e
S YM B O L UF 1 0 0 0
V
R RM
V
R MS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
JC
T
J
, T
S TG
50
35
50
UF 1 0 0 1
100
70
100
UF 1 0 0 2 UF 1 0 0 3 UF 1 0 0 4 UF 1 0 0 6 UNITS
200
140
200
10
150
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1 .3
1
500
80
50
2
- 5 5 t o +1 5 0
50
100
O
1
1.7
V
A
pF
ns
C /
W
C
O
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Thermal resistance from Junction to case.
4. Both Bonding and Chip structure are available.
January 25,2013-REV.03
PAGE . 1
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