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78C16A250TDB

产品描述EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, TDIP-24
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文件大小259KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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78C16A250TDB概述

EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, TDIP-24

78C16A250TDB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, CERAMIC, TDIP-24
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
最大待机电流0.0009 A
最大压摆率0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1
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