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GBJ2010

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.6A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GBJ, 4 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小23KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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GBJ2010概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.6A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GBJ, 4 PIN

GBJ2010规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明R-PSFM-T4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压1000 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
JESD-609代码e3/e4
最大非重复峰值正向电流240 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3.6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN/SILVER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

GBJ2010文档预览

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LITE
ON
POWER
SEMICONDUCTOR
GBJ20005 thru GBJ2010
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 20
Amperes
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit board
Low forward voltage drop, high current capability.
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique results in inexpensive product
The plastic material has UL flammability classification
94V-0
UL Recognition File # E95060
GBJ
DIM.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
GBJ
MIN.
MAX.
29.70
30.30
19.70
20.30
18.0
17.0
4.90
4.70
11.20
10.80
2.30
2.70
3.10
3.40
3.40
3.80
4.40
4.80
2.50
2.90
0.60
0.70
2.00
2.40
0.90
1.10
9.80
10.20
7.70
7.30
4.20
3.80
(3.0) x 45
3.40
3.10
R
A
Q
I
H
D B
E
G
+
~ ~
F
-
P
MECHANICAL DATA
Polarity : Symbols molded on body
Weight : 0.23 ounces, 6.6 grams
Mounting position : Any
L
M
C
J
N
O
O
K
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
GBJ
20005
50
35
50
GBJ
2001
100
70
100
GBJ
2002
200
140
200
GBJ
2004
400
280
400
20.0
3.6
240
1.05
10
500
240
60
0.8
-55 to +150
-55 to +150
GBJ
2006
600
420
600
GBJ
2008
800
560
800
GBJ
2010
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink
Note 2
)
Rectified Current
@T
C
=100 C
(without heatsink)
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum forward Voltage at 10.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I t Rating for fusing (t < 8.3ms)
Typical Junction
Capacitance per element (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
2
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I t
C
J
R
0JC
2
A
V
uA
AS
pF
C/W
2
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
T
J
C
C
REV. 1, 24-May-2000
T
STG
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Device mounted on 300mm x 300mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
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