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BZT55C6V8

产品描述Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.882%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, QUADROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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BZT55C6V8概述

Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.882%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, QUADROMELF-2

BZT55C6V8规格参数

参数名称属性值
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6.8 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差5.882%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZT55C2V4 - BZT55C75
500mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
POWER SEMICONDUCTOR
Features
500mW Power Dissipation
High Stability
Low Noise
Outline Similar to JEDEC 213AA
Hemetic Package
A
B
Mechanical Data
Case: QuadroMELF, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Cathode Band Only
Weight: 0.034 grams (approx.)
QuadroMELF
Dim
A
B
C
D
Min
3.3
1.4
Max
3.7
1.6
1.7∅ Typical
0.3 Typical
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Power Dissipation
Zener Current
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Forward Voltage
Operating and Storage Temperature Range
(Note 1)
(Note 1)
(Note 1)
P
d
I
Z
R
θJA
V
F
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Value
500
P
d
/V
Z
300
1.5
-65 to +175
Unit
mW
mA
K/W
V
°C
Symbol
@ I
F
= 200mA
T
j,
T
STG
Notes:
1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
2. Tested with pulses, T
p
100ms.
DS30006 Rev. C-2
1 of 3
C
D
BZT55C2V4-BZT55C75
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