Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GLZ10C_R1_10001

文档预览

GLZ10C_R1_10001: 产品描述Zener Diode, 10V V(Z), 0.5W,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小146KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

GLZ10C_R1_10001概述

Zener Diode, 10V V(Z), 0.5W,

GLZ10C_R1_10001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-LELF-R2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	8 Ω
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	O-LELF-R2
膝阻抗最大值	120 Ω
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	10 V
最大反向电流	0.2 µA
反向测试电压	7 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
最大电压容差	3%
工作测试电流	20 mA
Base Number Matches	1

GLZ10C_R1_10001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GLZ2.0 SERIES

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.0 to 56 Volts

POWER

500 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

0.055(1.4)DIA.

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MINI-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.001 ounces, 0.03 grams.

• Mounting Position: Any

• Polarity : Color band denotes cathode end

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

T/R - 10K per 13" plastic Reel

0.020(0.5)

0.012(0.3)

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.020(0.5)

0.012(0.3)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at T

= 25

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

Value

500

-55 to + 175

-65 to + 175

Units

TOT

STG

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage at I

= 100mA

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.3

Units

C/mW

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

November 25,2011-REV.04

0.063(1.6)

PAGE . 1

推荐资源

请问如何，控制步进电机的步数（例如一次走50步，或是走90度） C语言: #include #define OUTPUT P1 unsigned char steps=1; unsigned char times=10; int j=0; char excite={0x01,0x02,0x04,0x08}; void step_rst(void); void delay50ms(int); ......; gujingyangguang 编程基础

各位好.想开始用STM8S,问几个问题.: 谢谢各位.1.开发软件是哪个?ST是否有试用版本.2.开发工具,仿真器及烧录器是如何的?...; aug_com stm32/stm8

SMT贴片加工--助焊剂的选择: 　　1、结合产品选择助焊剂。　　自身产品的档次及产品本身的特点，是选择助焊剂时首先考虑的条件，高档次的产品如电脑主板、板卡等电脑周边产品及其他主机板或高精度产品，一般选择高档次免 ......; smttiepian PCB设计

哪为大侠帮小弟讲解下这个复位电路啊: 资料好难找呀，哪位大侠帮帮小弟，帮我讲解下这个电路的原理，万分感谢...; maidouzhu 模拟电子

本人学生，请教各位大大怎么在TI网上申请dsp28335芯片: 请各位大大不吝赐教，怎么在TI上申请dsp28335芯片，不胜感激。 ...; DSP小学生 DSP 与 ARM 处理器

伟福6000版本: 这是下载的伟福软件，与大家分享。:victory:...; 忙忙草单片机

人工智能功耗问题：挑战、权衡与优化路径

编译自semiengineering业界越来越关注人工智能的功耗问题，但这个问题并没有简单的解决方案。这需要深入了解应用、半导体和系统层面的软件和硬件架构，以及所有这些的设计和实现方式。每个环节都会影响总功耗和提供的效用。这是最终必须做出的权衡。但首先，必须解决效用问题。电力是否被浪费了？“我们将电力用于有价值的用途，”Ansys（现为新思科技旗下公司）产品营销总监MarcSwi...[详细]
ARM为自研芯片挖角对手：亚马逊AI芯片主管加盟

据路透社报道，知情人士称，芯片架构授权公司ARM已聘请亚马逊AI芯片主管拉米·辛诺(RamiSinno)来协助推进其开发自有完整芯片的计划。辛诺曾负责协助开发亚马逊自研AI芯片“Trainium”和“Inferentia”，这些芯片旨在帮助构建和运行大型AI应用程序。ARM已寻求扩大公司业务，从关键芯片知识产权的供应商，发展为能够独立设计出完整芯片的企业。根据路透社报道，ARM在去年12...[详细]
Yole表示，到2030年，数据中心芯片市场规模将达到5000亿美元

Yole表示，受生成式人工智能、高性能计算和超大规模计算的推动，数据中心半导体市场（涵盖计算、内存、网络和电源）的规模将从2024年的2090亿美元增长到2030年的4920亿美元。GPU占据主导地位，2024年市场规模将达到1000亿美元，到2030年预计将增长一倍以上。市场研究与战略咨询公司YoleGroup预测，GPU的收入将从2024年的1000亿美元增长到2030年的2150亿...[详细]
Microchip正在好起来

日前，Microchip发布2025年2季度财报，销售额环比增长10.8%。所有地区的净销售额均环比增长，微控制器和模拟业务的销售额均环比增长两位数。库存环比下降1.24亿美元，库存天数为214天。过去两个季度，库存已从266天下降到251天，再下降到214天，预计9月底的库存天数将在195至200天之间。“去年，Microchip的18,000名员...[详细]
英伟达向SK海力士“低头”达成：HBM4单价涨至560美元

11月6日消息，据媒体报道，当地时间11月5日，SK海力士方面表示，已与英伟达就2026年的HBM4的供应完成了价格和数量谈判。报道称，SK海力士在该供应谈判中占据上风，其向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元。据了解，560美元这一谈判价格，不仅高于此前业内预期的HBM4单价约为500美元，而且比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。谈判过程中，英伟达最初对大...[详细]
三星和英伟达宣布共建 AI 工厂，采购超 5 万块 GPU

10月31日消息，英伟达CEO黄仁勋于本周四对韩国进行了15年来首次正式访问，三星今日宣布与英伟达达成新合作，启动一个配备超过5万块英伟达GPU的完整AI工厂项目。三星表示，通过部署超过5万块英伟达GPU，AI将贯穿三星整个制造流程，加速下一代半导体、移动设备和机器人的研发与生产。三星还计划借助英伟达加速计算技术，并利用NVIDIAOmniverse库...[详细]
三星半导体部门三季度营业利润同比飙升 80%，AI 需求推动存储芯片业务强劲复苏

10月30日消息，三星电子半导体部门公布第三季度营业利润同比大幅增长80%，增幅远超市场预期，表明全球人工智能（AI）需求正推动这家韩国企业最核心业务的强劲复苏。该部门主要竞争对手包括SK海力士和美国美光科技公司。三星表示，明年将重点推进下一代高带宽存储器HBM4的大规模量产，该产品专为与英伟达的AI加速器协同工作而设计。公司同时呼应了SK海力士的预测：人工智能领域的资...[详细]
英飞凌荣获全球半导体联盟（GSA）颁发的“EMEA杰出半导体企业”大奖

【2025年12月10日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司荣获由全球半导体联盟（以下简称“GSA”）颁发的“欧洲、中东及非洲杰出半导体企业”大奖。该奖项在GSA年度颁奖盛典上揭晓，旨在表彰通过远见卓识、创新能力、卓越执行力和未来发展机遇取得卓越成就的个人与企业。英飞凌荣获全球半导体联盟（GSA）颁发的“EMEA杰出半导体企业”大奖英飞凌...[详细]
SK 海力士警告：DRAM 供不应求局面预计持续至 2028 年

据科技媒体Wccftech报道，主流PC市场正为内存供需长期失衡做准备，SK海力士的内部会议显示，大宗DRAM产能增长将变得十分有限，难以追上不断攀升的需求，或进一步加剧内存涨价的局面。根据消息人士BullsLab分享的会议PPT，海力士预测，除高带宽内存（HBM）和SOCAMM模块外，大宗DRAM在2028年以前的增长都会受到限制，这主要是因为主流内存厂商已将...[详细]
日本产综研将建设开放式尖端半导体研发中心，与 Rapidus 形成协同效应

12月15日消息，日本经济产业大臣赤泽亮正上周五表示，日本产业技术综合研究所（产综研、AIST）将在北海道千岁市建设一座开放式的尖端半导体研发中心，目标2029财年投入使用。这座研发中心将与同在千岁市的Rapidus晶圆厂形成协同效应，服务于该集群内的半导体产业上下游企业与学术界。如果日本国会通过2025财年补充预算，该项目将启动下一代EUV光刻机在内的必要设备引进工作。...[详细]
智芯赋能，共筑生态——SmartDV亮相ICCAD-Expo 2025，助力中国集成电路产业高质量升级

2025年11月20日-21日，“成渝集成电路2025年度产业发展论坛暨第三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2025）”在成都•中国西部国际博览城圆满落幕。这场汇聚2000余家国内外集成电路企业、300余家产业链上下游展商，逾6000位行业有关主管领导、知名专家与业界代表等嘉宾的行业盛会，成为洞察产业趋势、共探创新路径的核心平台。全球领先的半导体设计IP与验证IP提供商Sm...[详细]
端侧AI爆发前夜，安谋科技Arm China的“周易”X3 NPU如何扛起算力大旗？

今年，随着DeepSeek横空出世，端侧AI大模型市场彻底被带火了，越来越多人的目光从云走向了端。如果要问为什么端侧AI会是未来，可以用《韩非子·说林上》中的一句话来解释：“失火而取水于海，海水虽多，火必不灭矣，远水不救近火也。”云端AI相当于是大海，虽然水多、能力强，但当面对特殊的场景，终究是不如端侧AI的近水。据预测，到2028年，用于端侧微调卡和推理卡的销售额将超过用于云侧的训练卡。...[详细]
破解AI算力狂飙下散热难题，数据中心液冷方案首次实现“计算-存储-散热”一体化

随着数据中心单机架功率突破100千瓦，传统风冷在几何级增长的热量面前已无以为继。液冷技术以其卓越性能，成为了应对这一挑战的关键路径。目前，全球液冷市场在高速增长之中，2024年全球液冷市场增长96%，光冷板式就占据了90%以上的份额。可以说，对于高速发展的AI数据中心来说，散热的重要性远比想象中要重要得多。去年，英特尔颠覆业界的至强6900系列性能核处理器正式面世，最高配备128核心性能核...[详细]
贸泽开售NXP MCX E系列MCU：专为高要求边缘应用打造的安全可靠新选择

2025年11月18日–提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(MouserElectronics)即日起开售NXP®SemiconductorsMCXE注重可靠性/安全性的微控制器(MCU)。MCXE系列属于NXP丰富的MCX工业和物联网微控制器产品组合，是一款坚固耐用、注重安全的产品，配备NXPSafeAssure文档套件，其中...[详细]
内存短缺引发科技行业恐慌性囤货，华硕、微星等厂商大举备货

据DigiTimes报道，2025年第四季度，内存采购热潮愈演愈烈，引发了整个供应链的恐慌性抢购。据市场消息，华硕、微星等品牌及系统供应商一直在大举备货。消息人士表示，大型云服务提供商（CSP）对高带宽存储器（HBM）及DDR5RDIMM模组需求激增，已使内存跃升为决定2026年运营格局的战略性物资。当前，模组厂与系统厂商正全力展开一场全面性的备货竞赛。主要内存模组厂商20...[详细]

小广播

热搜元器件