DDR DRAM Module, 64MX32, 0.75ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, |
| 针数 | 100 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.75 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N100 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64MX32 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Gold (Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| MT8VDDT6432UY-75EXX | MT8VDDT3232UY-75EXX | MT8VDDT3232UG-75EXX | MT8VDDT6432UG-75EXX | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM Module, 64MX32, 0.75ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100 | DDR DRAM Module, 32MX32, 0.75ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-100 | DDR DRAM Module, 32MX32, 0.75ns, CMOS, DIMM-100 | DDR DRAM Module, 64MX32, 0.75ns, CMOS, DIMM-100 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| 零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, |
| 针数 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.75 ns | 0.75 ns | 0.75 ns | 0.75 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N100 | R-XDMA-N100 | R-XDMA-N100 | R-XDMA-N100 |
| 内存密度 | 2147483648 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 字数 | 67108864 words | 33554432 words | 33554432 words | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 | 32000000 | 32000000 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64MX32 | 32MX32 | 32MX32 | 64MX32 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 235 | 235 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | 30 |
微控制器 MCU
电源技术
模拟电子
安森美和安富利物联网创新设计大赛
嵌入式系统
微控制器 MCU
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
