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1N5396_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 500V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小126KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N5396_R2_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 500V V(RRM), Silicon, DO-15,

1N5396_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向电流1 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5391 SERIES
PLASTIC SILICON RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.5 Amperes
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low leakage.
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.034(0.86)
0.028(0.71)
MECHANICAL DATA
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color Band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
1.0(25.4)MIN.
0.300(7.6)
0.230(5.8)
• Case: Molded plastic, DO-15
0.140(3.6)
0.104(2.6)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz, Single phase, half wave,
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re cur re nt P e a k Re ve rse Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo cki ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nt .3 7 5 " (9 .5 mm)
le a d le ng th a t T
A
=6 0
O
C
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms si ng le ha lf si ne -wa ve
sup e ri mp o se d o n ra te d lo a d (JE D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 1 .5 A
Ma xi mum D C Re ve rse C urre nt a t Ra te d D C B lo cki ng
Vo lta g e
Typ i ca l Juncti o n C a p a ci ta nce (No te s 1 )
Typ i ca l The rma l Re si sta nce (No te s 2 )
Op e ra ti ng Juncti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL
1N53 91 1N53 92 1N539 3 1N539 4 1N5 395 1 N5 396 1 N53 97 1N539 8 1N539 9
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJ
L
T
J
,T
S TG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
1 .5
50
1 .4
1
500
25
45
28
-5 5 to +1 5 0
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
pF
O
C /
W
C
O
NOTES: 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
February 09,2012-REV.06
PAGE . 1
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