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BZT52-C4V7ST/R13

产品描述Zener Diode, 4.7V V(Z), 4.99%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小160KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZT52-C4V7ST/R13概述

Zener Diode, 4.7V V(Z), 4.99%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

BZT52-C4V7ST/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗78 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
标称参考电压4.7 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差4.99%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZT52-C2V4S SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 V
olts
POWER
200 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 200mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 2.4~75V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.038(0.95)
0.027(0.70)
0.078(1.95)
0.068(1.75)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-323, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.00014 ounces, 0.0041 grams
• Mounting Position: Any
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.012(0.30)MIN.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Power Dissipation (Notes A) at T
A
= 25
O
C
Operating Junction Temperature and StorageTemperature Range
SYMBOL
VALUE
200
-55 to +150
UNITS
mW
O
o
P
D
T
J
C
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm
2
(.013mm thick) land areas.
1
Cathode
2
Anode
October 07,2011-REV.04
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