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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NID9N05CL
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NID9N05CL

产品描述9A, 52V, 0.181ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小812KB，共8页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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NID9N05CL在线购买

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NID9N05CL概述

9A, 52V, 0.181ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3

NID9N05CL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
包装说明CASE 369C, DPAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 369C
Reach Compliance Codeunknown
其他特性ESD PROTECTED
雪崩能效等级（Eas）160 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压52 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.181 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）235
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)35 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NID9N05CL相似产品对比

NID9N05CL NID9N05CLT4G NID9N05CLG
描述 9A, 52V, 0.181ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3 9A, 52V, 0.181ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C, DPAK-3 9A, 52V, 0.181ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C, DPAK-3
是否无铅 含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 CASE 369C, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369C, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369C, DPAK-3
针数 3 3 3
制造商包装代码 CASE 369C CASE 369C CASE 369C
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 ESD PROTECTED ESD PROTECTED ESD PROTECTED
雪崩能效等级（Eas） 160 mJ 160 mJ 160 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 52 V 52 V 52 V
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A 9 A
最大漏源导通电阻 0.181 Ω 0.181 Ω 0.181 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e3 e3
湿度敏感等级 1 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 235 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 35 A 35 A 35 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES YES YES
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1

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