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ED502S_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-252, GREEN, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ED502S_T0_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-252, GREEN, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-3/2

ED502S_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-3/2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ED502S~ED506S
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Superfast recovery times-epitaxial construction.
• Low forward voltage, high current capability.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Hermetically sealed.
• Low leakage.
• High surge capability.
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
200 to 600 Volts
CURRENT
5 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: Molded plastic, TO-252
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa r d C ur r e nt a t T
A
=7 5
O
C
P e a k F o r wa r d S ur g e C ur re nt : 8 . 3 ms s i ng le ha lf
s i ne - wa ve s up e ri mp o s e d o n r a t e d lo a d
Ma xi mum F o r wa r d Vo lt a g e a t 5 A D C
Ma xi mum D C Re ve rs e C urre nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lt a g e
Ma xi mum Re ve rs e Re c o ve ry Ti me
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i t a nc e
Typ i c a l The r ma l Re s i s ta nc e
Op e r a t i ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e r a tur e Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 2 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
FS M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
J
A
T
J
,T
S TG
ED502S
200
140
200
ED503S
300
210
300
5
75
ED504S
400
280
400
ED506S
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
0.95
1 .2 5
1
300
35
45
9
- 5 5 to + 1 5 0
1 .7
V
A
nS
pF
O
C / W
O
C
NOTES :
1. Thermal Resistance Junction to Ambient .
November 14,2013-REV.02
PAGE . 1
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