mosfet N/P-CH 20v 0.1A es6
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.1 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
表面贴装 | YES |
SSM6L16FE(TE85L,F) | SSM6L35FE,LM(T | SSM6L16FE(T5LKMC,F | |
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描述 | mosfet N/P-CH 20v 0.1A es6 | mosfet N/P-CH 20v 0.1A es6 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | - | Toshiba(东芝) |
Reach Compliance Code | unknown | - | unknown |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
表面贴装 | YES | - | YES |
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