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FMV23N50E

产品描述Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F(SLS), 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小412KB,共5页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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FMV23N50E概述

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F(SLS), 3 PIN

FMV23N50E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fuji Electric Co Ltd
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
雪崩能效等级(Eas)767.3 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)23 A
最大漏极电流 (ID)23 A
最大漏源导通电阻0.245 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)92 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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