Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | MODULE-4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 375 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1130 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 400 ns |
标称接通时间 (ton) | 175 ns |
VCEsat-Max | 2.45 V |
Base Number Matches | 1 |
APTGF300U60D4 | APTGF300U60D4G | |
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描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4 |
是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
零件包装代码 | MODULE | MODULE |
包装说明 | MODULE-4 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
针数 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown | compliant |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 375 A | 375 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X4 | R-XUFM-X4 |
JESD-609代码 | e0 | e1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1130 W | 1130 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | TIN LEAD | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 400 ns | 400 ns |
标称接通时间 (ton) | 175 ns | 175 ns |
VCEsat-Max | 2.45 V | 2.45 V |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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