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APTGF300U60D4

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小200KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTGF300U60D4概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4

APTGF300U60D4规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MODULE
包装说明MODULE-4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)375 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1130 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)400 ns
标称接通时间 (ton)175 ns
VCEsat-Max2.45 V
Base Number Matches1

APTGF300U60D4相似产品对比

APTGF300U60D4 APTGF300U60D4G
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4 Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
零件包装代码 MODULE MODULE
包装说明 MODULE-4 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数 4 4
Reach Compliance Code unknown compliant
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 375 A 375 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X4 R-XUFM-X4
JESD-609代码 e0 e1
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1130 W 1130 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN SILVER COPPER
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 400 ns 400 ns
标称接通时间 (ton) 175 ns 175 ns
VCEsat-Max 2.45 V 2.45 V
Base Number Matches 1 1
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