Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IXYS |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | DIE-2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH SPEED |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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