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C2012NP0331JENS

产品描述Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00033uF, Surface Mount, 0805, CHIP, GREEN
产品类别无源元件    电容器   
文件大小173KB,共5页
制造商达方(DARFON)
官网地址http://www.darfon.com.cn/
标准  
达方电子为全球前二大的液晶电视背光模块变频器 (LCD TV Inverter)与全球前二大的笔记型电脑键盘 (Notebook Keyboard)制造商。达方电子创立于 1997年,秉持「平实务本、追求卓越、关怀社会」的企业文化,与「光电与精密元件的专家」的定位,专注于周边元件、电源元件、与整合元件的研发与产品服务。
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C2012NP0331JENS概述

Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00033uF, Surface Mount, 0805, CHIP, GREEN

C2012NP0331JENS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1303065056
包装说明, 0805
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL7.72
电容0.00033 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
JESD-609代码e3
安装特点SURFACE MOUNT
多层Yes
负容差5%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
包装方法TR, PAPER, 10 INCH
正容差5%
额定(直流)电压(URdc)16 V
尺寸代码0805
表面贴装YES
温度特性代码C0G
温度系数30ppm/Cel ppm/°C
端子面层Bright Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND

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Electronics Corp.
Multi-Layer Ceramic Capacitor
C-S1-5-00
C0G (NP0) Dielectrics
Features
A monolithic structure ensures high reliability and mechanical strength.
High capacitance density.
A wide range of capacitance values in standard case size.
Suitable for high speed SMT placement on PCBs.
Ni barrier termination highly resistance to migration.
Lead-free termination is in compliance with the requirement of green plan and ROHS.
S1
Applications
General electronic equipment.
Custom Application
C0G (NP0) Dielectric Characteristics
Capacitance Range
Size (mm)
(EIA inch)
Test Voltage
Test Frequency
Capacitance Tolerance
0.20pF to 39nF
0603
1005
1608
2012
3216
(1206)
(0201) (0402)
1.0 ± 0.2Vrms
(0603) (0805)
1.0 ± 0.2MHz for cap≦1,000pF, 1.0 ± 0.2KHz for cap>1,000pF
± 0.25pF, ± 0.50pF for cap<5pF (± 0.1pF available on request)
± 0.50pF for 5pF≦cap<10pF (± 0.1pF, ± 0.25pF available on request)
± 5%, ± 10% for cap≧10pF (± 1%, ± 2% available on request)
Operating Temperature Range
Maximum Capacitance Change
Rated Voltage
Dissipation Factor (DF)
Insulation Resistance (+25℃, RVDC)
Insulation Resistance (+125℃, RVDC)
-55℃ to +125℃
0 ± 30 ppm/℃ (EIA C0G)
16, 25, 50, 100 VDC
1/(400 + 20 x C) for cap≦30pF, C in pF
;0.1%
max. for cap>30pF
10,000 MΩ min. or 500Ω-F min., whichever is smaller
1,000 MΩ min. or 50Ω-F min., whichever is smaller
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