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ER1006FCT_T0_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER1006FCT_T0_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

ER1006FCT_T0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ER1000FCT~ER1006FCT
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
0.112(2.85)
0.100(2.55)
0.272(6.9)
0.248(6.3)
50 to 600 Volt
CURRENT
10 Ampere
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltge, high current capability
• High surge capacity.
• Super fast recovery times, high voltage.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AB Molded plastic
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.056 ounces, 1.6 grams.
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Rec urre nt P e a k Re ve rs e Volta g e
Ma xi mum RMS Vo lta ge
Ma xi mum D C B loc ki ng Voltag e
Ma xi mum A ve ra ge F o rward C urre nt a t T
C
=10 0
O
C
P ea k F orwa rd S urg e C urre nt, 8 .3 ms si ngle ha lf si ne -wa ve
s up eri mpo s ed on rate d lo a d
Ma xi mum F orwa rd Vo lta ge at 5 A , p er e le ment
Ma xi mum D C Reverse C urre nt a t Ra te d D C B lo ck i ng T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
Voltag e
Ma xi mum Reverse Re co ve ry Ti me (Note 2)
Typ i ca l Junc ti o n C a p ac i ta nc e (No te 1 )
Typ i ca l Thermal Res i stance
Ope ra ti ng J uncti on a nd S to ra g e Te mpe ra ture Ra ng e
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJ
C
T
J
,T
S TG
0.128(3.25)
MIN.
E R1 0 0 0F C T E R1 0 0 1 F C T E R1 0 0 1A F C T E R1 0 0 2 F C T E R1 0 0 3 F C T E R1 0 04 F C T E R1 0 0 6F C T
UNITS
V
V
V
A
A
50
35
50
1 00
70
1 00
1 50
1 05
1 50
20 0
1 40
20 0
10
150
3 00
2 10
3 00
4 00
2 80
4 00
6 00
4 20
6 00
0.9 5
1
50 0
35
62
3
-5 5 to +1 50
1 .3
1.7
V
μA
ns
pF
O
C /
W
C
O
NOTES
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, Irr=0.25A.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
June 11,2015-REV.04
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