电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BAS116T/R13

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小122KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

BAS116T/R13概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BAS116T/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

BAS116T/R13文档预览

下载PDF文档
BAS116/BAW156/BAV170/BAV199
SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Suface mount package ideally suited for automatic insertion.
• Very low leakage current. 2pA typical at VR=75V.
• Low capacitance. 2pF max at VR=0V, f=1MHz
0.120(3.04)
0.110(2.80)
100 Volts
POWER
250mWatts
SOT-23
Unit
inch(mm)
0.006(0.15)MIN.
0.103(2.60)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.056(1.40)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23 plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx weight: 0.0084 grams
• Marking: BAS116: PA,BAW156:P4,BAV170:P3,BAV199:PB
0.047(1.20)
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.004(0.10)MAX.
ABSOLUTE RATINGS (each diode)
PA RA ME TE R
R e ve r s e Vo l t a g e
P e a k R e ve r s e Vo l t a g e
C o nti nuo us F o r wa r d C ur r e nt
N o n- r e p e t i t i ve P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt a t t = 1 . 0 us
I
S ym b o l
V
R
V
RM
I
Va lue
75
100
0.2
4.0
Uni ts
V
V
A
A
F
FSM
THERMAL CHARACTERISTICS
PA RA ME TE R
P o we r D i s s i p a ti o n (No te 1 )
The r m a l Re s i s ta nc e , J unc ti o n to A m b i e nt ( No te 1 )
J u n c t i o n Te m p e r a t u r e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e
S ym b o l
P
TOT
R
θ
J A
T
J
T
S TG
Va lue
250
500
-55 to 150
-55 to 150
O
Uni ts
mW
C /W
O
C
C
O
NOTE:
1. FR-4 Board = 70 x 60 x 1mm.
SINGLE
COMMON ANODE
COMMON CATHODE
SERIES
BAS116
STAD-DEC.07.2007
BAW156
BAV170
BAV199
PAGE . 1
0.086(2.20)
音响放大器电流声的成因
有很多音响工程的亲们经常受到放大器的「电流声」困扰,大部份人都认为电流声是因为接地不良所致,于是便努力把放大器的外壳接地,甚至把整个放大器用金属罩子屏蔽,但电流声依旧,苦无对策…… ......
fish001 模拟与混合信号
延时程序
网上找的,讲的很详细,很适合我这种菜鸟,这对各位来说都是火星小菜了吧.......呵呵,希望大家的技术越来越高! 汇编延时程序算法详解   摘要 计算机反复执行一段程序以达到延时的目的称为软 ......
zxpla 单片机
基于DSP技术的QAM调制器设计方案
《基于DSP技术的QAM调制器设计方案》,请随便看看 本帖最后由 stylet 于 2009-8-14 13:53 编辑 ]...
stylet DSP 与 ARM 处理器
【请教TI专家】USB OTG ID线的应用
问题1:9b96和LM4F芯片都带有USB OTG功能,但是采用的都是Micro USB口,据我所知Mini USB和Micro USB都支持OTG,为什么大部分板子现在都是采用Mirco USB口呢。 好像Mirco USB是欧洲的接口标准, ......
05210324kw 微控制器 MCU
电流型三相五电平变流器拓扑的控制策略研究
电流型三相五电平变流器拓扑的控制策略研究.wps...
fighting 工业自动化与控制
求基于单片机的信号发生器的汇编程序
用AT89C51和DAC0808,组成的信号发生器,我写好了一个汇编程序,但是输出波形很不理想,只有方波正常,而三角波,锯齿,正弦都很乱,失真严重。 希望有人能帮解决下问题。看过别人用C语言写的 ......
zwn0601 单片机
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved