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PBHV9110DA_R1_00001

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小395KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PBHV9110DA_R1_00001概述

Power Bipolar Transistor,

PBHV9110DA_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PPBHV9110DA
PNP Low Vce(sat) Transistor
Voltage
Features
-100V
Current
-1A
SOT-23
Unit: inch(mm)
Silicon PNP epitaxial type
Low Vce(sat) -0.35V(max)@Ic/Ib= -500mA / -50mA
High collector current capability
Excellent DC current gain characteristics
Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC 61249 Standard
NPN complement: PBHV8110DA
Mechanical Data
Case: SOT-23 Package
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.009 grams
Marking: 911
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Power Dissipation
Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
Thermal Resistance from Junction to Ambient
(Note )
o
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
T
J
T
J
,T
STG
R
θJA
LIMIT
UNITS
V
V
V
A
A
W
o
o
o
-120
-100
-6
-1
-3
1.25
150
-55~150
100
C
C
C/W
Note: Mounted on FR4 PCB at 1 inch square copper pad.
August 16,2019-REV.00
Page 1
RX8025T日和秒每次都读的是32,明显不对
其他读写都正常,不知道是什么原因,请求帮助 ...
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