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FJV4112RMTF

产品描述trans prebias pnp 200mw sot23-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FJV4112RMTF概述

trans prebias pnp 200mw sot23-3

FJV4112RMTF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

FJV4112RMTF相似产品对比

FJV4112RMTF
描述 trans prebias pnp 200mw sot23-3
是否Rohs认证 符合
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz
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