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BAS70SDW_R2_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小228KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAS70SDW_R2_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon,

BAS70SDW_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量4
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.225 W
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BAS70TW/ADW/CDW/SDW
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES ARRAYS
These devices feature electrically-isolated Schottky diodes connected in varios configurations housed in a very small
SOT-363
FEATURES
• Maximum leakage current @ 50V of 100nA
• Reverse voltage rating of 70V
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. .
(Halogen Free)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.030(0.75)
0.021(0.55)
0.087(2.20)
0.074(1.90)
0.010(0.25)
0.018(0.45)
0.006(0.15)
0.010(0.25)
0.003(0.08)
0.040(1.00)
0.031(0.80)
0.044(1.10)
MAX.
0.087(2.20)
0.078(2.00)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
• Maximum forward voltage @ 1mA of 0.41V
MECHANICAL DATA
Case: SOT-363, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx weight: 0.00018 ounces, 0.005 grams
0.004(0.10)
0.012(0.30)
0.005(0.15)
APPLICATOINS
Rail-to rail ESD protection
Overshoot and undershoot switching control
Mobile phones and accessories
Video fame consoles connector ports
MAXIMUM RATING (Per Diode) T
J
=25
o
C Unless otherwise noted
Parameter
Repetitve Peak Reverse Voltage
Continuous Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Non-repetitive Peak Forward Surge Current,
t=1s, Square Wave
Total Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
P
TOT
R
JA
T
J
T
STG
Value
70
70
200
0.6
225
556
-55 to +125
-55 to +125
Units
V
V
mA
A
mW
o
0.000(0.00)
Marking: BAS70TW: A70, BAS70ADW:A72, BAS70CDW: A73,
BAS70SDW:A74
C/W
o
C
C
o
Note : 1.FR-5 Board 1 x 0.75 x 0.062 in.
BAS 70 TW
Fig.50
(TOP VIEW)
BAS 70 ADW
Fig.46
(TOP VIEW)
BAS 70 CDW
Fig.47
(TOP VIEW)
BAS 70 SDW
Fig45
(TOP VIEW)
September 18,2013-REV.02
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