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ST1210B11K7P05

产品描述Fixed Resistor, Ruthenium Oxide, 0.33W, 11700ohm, 200V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 1210,
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小389KB,共12页
制造商天二科技(EVER OHMS)
官网地址http://www.everohms.com/
标准
天二科技成立于公元1988年,拥有对于芯片电阻及排阻之研发能力及制造技术。在面对现今客户多样化的需求下,不断的投入开发高质量产品及新式制造技术,并提供客户多组件一次购足的服务,完全满足客户需求,提升客户对于本公司产品满意度。在质量管理方面,本公司通过ISO-9001、ISO-TS16949、TTQS认证以及符合AEC-Q200车用电子自我检测标准,并藉由产品收成率指针、客户满意度调查等报告之分析及改善来不断提升本公司的产品及服务质量,以增强客户对本公司的信任,进而建立与客户间的良好伙伴关系。
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ST1210B11K7P05概述

Fixed Resistor, Ruthenium Oxide, 0.33W, 11700ohm, 200V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 1210,

ST1210B11K7P05规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid994783581
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
构造Chip
JESD-609代码e3
端子数量2
最高工作温度155 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.55 mm
封装长度3.05 mm
封装形式SMT
封装宽度2.5 mm
包装方法TR, Paper, 7 Inch
额定功率耗散 (P)0.33 W
参考标准AEC-Q200
电阻11700 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
系列ST
尺寸代码1210
技术RUTHENIUM OXIDE
温度系数100 ppm/°C
端子面层Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
容差0.1%
工作电压200 V
关于SDRAM的一点总结
SDRAM工作过程:1,上电稳定后经过8个刷新周期,进入模式寄存器设置(MRS),确定芯片的工作模式,CL,BL,突发传输方式。2,行有效,同时进行了片选和BANK选择工作。CS RAS有效 CAS WE无效,地址线和BA上选择相应的BANK和行(有些文档中将这两种都归为地址线,BA为地址的最高位)。3,列读写,当行有效后,选择需要的列进行读或写操作,CAS有效,RAS无效,地址线上为列地址,WE...
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