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F1T5A1G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小511KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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F1T5A1G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon,

F1T5A1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1329828849
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

 
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