电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

3DD13001

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小321KB,共3页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

3DD13001概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN

3DD13001规格参数

参数名称属性值
厂商名称长电科技(JCET)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.2 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)10
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.2 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)8 MHz
Base Number Matches1

3DD13001文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
3DD13001
TRANSISTOR( NPN
TO—92
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 1.25
W(Tamb=25℃)
Collector current
I
CM
: 0.2
A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 600
V
Operating and storage junction temperature range
T
J
,T
stg
: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
V(BR)
CBO
V(BR)
CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
1
DC current gain
h
FE
2
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
1 2 3
unless
Test
otherwise
MIN
specified)
TYP
MAX
UNIT
V
V
 V
100
200
100
μA
μA
μA
conditions
Ic= 100μA
,I
E
=0
I
C
= 1
mA , I
B
=0
600
400
7
I
E
= 100
μA,I
C
=0
V
CB
= 600 V , I
E
=0
V
CE
= 400 V , I
B
=0
V
EB
= 7 V ,
V
CE
= 20
I
C
=0
V, I
C
= 20m A
10
5
70
V
CE
= 10V, I
C
= 0.25 mA
I
C
= 50mA, I
B
= 10 m A
I
C
= 50 mA, I
B
= 10m A
V
CE
= 20 V, I =20mA
C
0.5
1.2
V
V
Transition frequency
f
T
8
MHz
f =
1MHz
Fall time
Storage time
t
f
I
C
=50mA,
I
B1
=-I
B2
=5mA,
V
CC
=45V
0.3
1.5
μs
μs
t
S
CLASSIFICATION OF h
FE
(1)
Range
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
40-45
45-50
50-55
55-60
60-65
65-70
初学的问题,有关变量和寄存器的关系
大意是在C中调用汇编中的函数 汇编代码 IMPORT Main EXPORT add area init,code,readonly entry code32 START b Main add add r0,r0,r1 mov pc,lr end C代码 exte ......
zhangwf 嵌入式系统
C语言深度解剖
76350 看到了网友发的一些C语言的细节问题,特此共享自己手头的一本C语言教程...
逆风飞翔 51单片机
工程师很有必要了解的常用接口大全
 作为工程师应该经常与接口打交道,所以小编请教了一下度娘,接口的完整定义是,实体把提供给外界的一种抽象化物,用以由内部操作分离出外部沟通方法,使其能被修改内部而不影响外界其他实体与 ......
扫IC网`Allen 模拟电子
请教:DIY示波器数据采集板器件的选型问题
大家好: 我们正在进行数据采集板的设计,因为没有试验平台,很多事情只能靠理论分析。所以有些问题请教: 1.0~20M的信号,测频用什么整形电路?你们有典型的电路参考吗?最好器件比较常 ......
莫恩 DIY/开源硬件专区
WINCEROOT
安装pb6.0后,创建一个新项目提示WINCEROOT设置有问题...
chenying71 嵌入式系统
AVR Studio4.17 编译出现错误,急急急!!!!
今天AVR Studio4.17 突然就罢工了,点击编译,跳出对话框rm.exe,提示无法启动应用,0XC0000142错误,确定完编译错误的信息如下,我重装了也没用,去别的电脑装就可以,电脑系统是WIN10的,之前 ......
yzzcwj_ Microchip MCU
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved