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MBR6100FCT_T0_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小81KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR6100FCT_T0_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MBR6100FCT_T0_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

MBR6100FCT_T0_10001文档预览

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MBR640FCT~MBR6200FCT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
0.112(2.85)
0.100(2.55)
40 to 200 Volt
CURRENT
6 Amper
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
free wheeling , and polarlity protection applications.
0.272(6.9)
0.248(6.3)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AB full molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.056 ounces, 1.6 grams.
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PARAMETER
Maximum Recur r ent Peak Rever se Volt age
Maximum RM S Volt age
Maximum DC Blocking Volt age
Maximum Aver age For war d Cur r ent ( See Figur e 1)
Peak For w ar d Surge Curr ent : 8. 3ms single half sine- w ave
superimpos ed on r at ed load
Maximum Forw ar d Volt age at 3A per leg
Maximum DC Rever se Cur r ent at Rat ed DC Blocking
Volt age
Typical Thermal Resis tance
Oper at ing Junct ion and St or age Temper at ur e Range
T
J
= 25
O
C
T
J
= 100
O
C
SY M BO L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θJC
T
J
, T
STG
0.128(3.25)
MIN.
MBR640FCT MBR645FCT MBR650FCT MBR660FCT MBR680FCT MBR690FCT M BR6 100FCT MBR6150 FCT MBR62 00FCT
UNI TS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
6
75
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0. 7
0. 75
0. 05
20
3
0.8
0. 9
V
mA
O
C/ W
O
- 55 to + 150
- 65 t o + 175
C
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
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