电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

PR182A21321CPGT1

产品描述Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.2W, 1320ohm, 100V, 0.25% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 1412,
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小92KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

PR182A21321CPGT1概述

Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.2W, 1320ohm, 100V, 0.25% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 1412,

PR182A21321CPGT1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid704983464
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL7.2
构造Chip
JESD-609代码e4
网络类型Isolated
端子数量4
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.381 mm
封装长度3.647 mm
封装形式SMT
封装宽度2.997 mm
包装方法TR
额定功率耗散 (P)0.2 W
电阻1320 Ω
电阻器类型ARRAY/NETWORK RESISTOR
系列PR 182
尺寸代码1412
技术THIN FILM
温度系数10 ppm/°C
端子面层Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
容差0.25%
工作电压100 V
GaN和SiC区别
半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。GaN和SiC半导体材料可实现比硅基表亲更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,这些功能使得在各种电源应用中减少重量,体积和生命周期成本成为可能。 Si,SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。Si,SiC和GaN...
qwqwqw2088 电源技术
基于ARM9系统的433无线通信项目问题,求解!!!
[color=rgb(51, 51, 51)][backcolor=rgb(245, 245, 245)][font=Helvetica, Tahoma, Arial, sans-serif][size=16px]最近接到一个项目,要用433模块基于ARM9系统进行数据接发,本人因为正在学习中,好多问题都不明白,急求大神们解答,谢谢!说明:433模块打算采用UART串口实现与arm9系统的通信,厂...
chong2016 工控电子
请问谁有msp430G2553驱动12864SSD1306oled显示屏例程
本人新手,求大佬帮助。...
TIANNA2018 微控制器 MCU
请教一下锁相环到底是到底是相位负反馈系统还是频率负反馈系统?
纠结了好久的一个问题.请达人指点迷津...
ultron001 模拟电子
求助:如何解决CPU工作正常但读写却不正常的问题
[i=s] 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:58 编辑 [/i]最近开发新产品时遇到一个难题,检测到设备CPU工作正常,但却无法读写,读写口电位均正常,请各路高手赐教....
xxh970820 移动便携
新手的天堂
http://dianzigood.lingd.net欢迎大家进入,希望得到您宝贵的意见!...
guoqingling988 嵌入式系统

开源项目推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 640  760  1037  1063  1618 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved