Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BZM5225BT/R13

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BZM5225BT/R13: 产品描述Zener Diode, 3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小104KB，共5页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZM5225BT/R13概述

Zener Diode, 3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2

BZM5225BT/R13规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	MELF
包装说明	O-LELF-R2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JESD-30 代码	O-LELF-R2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	3 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	5%
Base Number Matches	1

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BZM5221B SERIES

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.4 to 75 Volts

POWER

500 mWatts

MICRO-MELF

Unit : inch (mm)

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

.040(1.0)

.048(1.2)DIA.

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MICRO-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.008 grams

• Mounting Position: Any

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

.079(2.0)

.071(1.8)

.043(1.1)

.008(0.2)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at Tamb = 25

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.

Symbol

Value

500

175

-65 to +175

Units

TOT

Parameter

Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r

Forward Voltage at I

= 200mA

Symbol

J A

Min.

Typ.

Max.

0.3

Uni ts

K/mW

Vali d provi ded that leads at a di stance of 8mm from case are kept at ambi ent temperature.

STAD-DEC.22.2008

PAGE . 1

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