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RNC55H2801DS: 产品描述RESISTOR, METAL FILM, 0.1 W, 0.5 %, 50 ppm, 2800 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小140KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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RNC55H2801DS概述

RESISTOR, METAL FILM, 0.1 W, 0.5 %, 50 ppm, 2800 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED

MSP430的硬件I2C讲解之五: 读单个字节单字节读函数是4中读写函数中最为复杂的，复杂的原因在于读最后一个字节之前就需要操作UCTXSTP标志位。4.1 代码实现[cpp] view plain copy在CODE上查看代码片派生到我的代码片uint8_teeprom_readbyte( uint8_t word_addr, uint8_t *pword_value){UCB0CTL1 |= UCTR;// 写模式UCB0CTL...; fish001 微控制器 MCU

求教:ZEUS公司的NV-RAM,型号ZS8512的资料!: 在baidu找不到,谁有资料给我传一个呀,用过这芯片的大虾能给我说说这芯片的优缺点吗?谢谢!散分了.EMAIL:xhbbit@yahoo.com.cn QQ:472149942MSN:xhbbit@yahoo.com.cn...; ld7928 嵌入式系统

开关电源变压器发热原因: 开关电源变压器使用时间长了会出现发热的现象，那么，是什么原因造成这样的现象呢？其实原因很简单，是因为开关电源变压器是加入了开关管的电源变压器，在电路中除了普通变压器的电压变换功能，还兼具绝缘隔离与功率传送功能一般用在开关电源等涉及高频电路的场合。我们都知道，半导体、功率二极管等是在使用中极易发热的元器件，在开关电源中也不例外，开关电源主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感...; Jacktang 模拟与混合信号

小米10捧红氮化镓！十分钟带你了解GaN仿真建模: 01GaN 的高光时刻2月13日小米发布会召开，除了发布最新款旗舰手机，还带来了旗下第一款采用GaN氮化镓材料的充电器。一时间，氮化镓这个新名词迅速占据了公众视野，成为投资界的新宠儿。氮化镓是第三代半导体材料（即化合物半导体）的典型代表。相较于第一代半导体材料硅、锗，第二代半导体材料砷化镓、磷化铟等，第三代半导体材料（包括氮化镓、碳化硅、氧化锌等）能够承受更高的电压、适合更高频率，可实现更高的功率...; btty038 RF/无线

请教各位一个简单的问题，先谢谢了: 请教大家一个问题，不是很难，但我不知道怎么做~就是用Protel绘图时，我用了一个或门，元件库里有的，但是是个两输出的，我的设计中需要用到三个输出，应该怎么做呢？？不会是自己画好了再封装吧？？谢谢各位大虾，我是菜鸟~~~呜啦啦啦\(^o^)/~...; wqj1212 嵌入式系统

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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