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半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅（Si）、锗(Ge）等所形成的半导体，后者为砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半导体在过去主要经历了三代变化。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。三大化合...[详细]

日前，德州仪器(TI)宣布推出业界首款支持4MHz像素时钟的LVDS接收器IC，其可充分满足具有小型LCD面板的打印机、复印机、数码摄像机、燃油泵显示屏以及家用电器的应用需求。与同类竞争器件相比，该SN65LVDS822FlatLink™LVDS接收器接受更低的像素时钟，不仅可将视频传输距离延长30%，而且还可将线路数锐减60%，降低电磁干扰(EMI)与功耗...[详细]

是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程，助力RFIC半导体设计加速发展• 新参考流程采用台积电N4PRF制程，提供了开放、高效的射频设计解决方案• 强大的电磁仿真工具可提升WiFi-7系统的性能和功率效率• 综合流程可提高设计效率，实现更准确的仿真，从而更快将产品推向市场是德科技、新思科技公司和Ansys公司宣布携手...[详细]

中国上海–2023年10月11日–全球知名的电子元器件分销商富昌电子荣幸地宣布即将在中国上海举办卓越工程师大学（AdvancedEngineerUniversity），以进一步提升其在需求创造（DemandCreation）等方面的综合创新能力。在全球电子制造市场竞争日益加剧的背景之下，富昌电子一直致力于加速提升DemandCreation的实力。作为富昌电子全球性的年度盛会，...[详细]

   半导体整合元件厂(IntegratedDeviceManufacturer；IDM)东芝(Toshiba)现居日本半导体龙头地位，2012年第2季其公司营收较第1季衰退25%，仅1,909亿日圆(约24亿美元)，为2010年以来单季最低水准，不仅如此，营业损益亦由第1季获利156亿日圆转为亏损10亿日圆。东芝半导体事业以NANDFlash等记忆体为主要营收来源，2012年第2季受制...[详细]

从2007年到现在的两年多来，这个世界发生了太多的事情，而其中，全球经济危机应当称得上是最沉重的一页。危机中往往酝酿着转机。飞利浦“十年磨一剑”的转型故事或许可以成为他山之石。上个世纪90年代末期，飞利浦是一个高产量、技术驱动的电子产品制造商，不同业务部门业绩表现各异，财务波动较大。今天，我们已经转型成为一家高附加值、以市场为导向的“健康舒适、优质生活”公司，业务表现灵...[详细]

　　由于市场盛传联发科将减少在晶圆代工厂的投片量，联发科澄清全无此事，目前第1季订单状况稳定，无奈市场信心不足，投资人持股先卖再说。　　　　业者强调，IC设计调整投片是常态的作业模式，外界其实毋须担心，加上中国农历年零售业绩较去年同期增长17%，比去年年增幅度还高，因此预估联发科首季营收增长仍能维持早前预估的增长5%目标。　　　　联发科1月营收增45%，2月营收由于工作天数不足而下滑，预估...[详细]

电子网消息，中国移动终端有限公司和中国移动浙江公司联合高通，基于TD-LTE“4G+”网络，在浙江杭州首次成功完成基于商用终端的千兆级速率外场测试，下行峰值速率达到700Mbps以上，平均速率680Mbps左右。此次外场测试的成功，表示中国移动已经具备将其“4G+”网络升级至全球最领先水平的能力，并且为即将到来的5G时代奠定坚实基础。此次外场测试采用搭载高通骁龙835移动平台的三星最新旗...[详细]

泰克针对半导体材料与器件科学的云课堂即将开播，这一场专门针对半导体材料的知识盛宴分为两季，第一季以纳米材料、二维材料、量子材料、忆阻器器件为主角，第二季以宽禁带半导体、功率IGBT、MEMS测试、MOSFET测试、半导体器件可靠性HCI/NBTI测试为主题。半导体材料的发展经过以硅Si、锗Ge为主的第一代和以砷化镓GaAs、磷化铟InP为代表的第二代，现在已经发展到以氮化镓GaN、碳...[详细]

日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100Vp沟道TrenchFET®MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。VishaySiliconixSQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5mmx6mm紧凑型PowerPAK®SO-8L封装器件，而且10...[详细]

电子网消息，据泉州网报道，11月21日福建省晋华存储器集成电路生产线项目（以下简称“晋华项目”）FAB主厂房正式封顶。随着FAB主厂房的封顶，项目将进入机电安装和洁净厂房施工阶段。同时，OB（办公综合楼）、CUB（中央动力站）、PSB（110KV变电站）及晋华苑宿舍均已封顶。项目一期计划于2018年第三季度正式投产。据悉，晋华项目2016年7月16日正式开工建设。作为国家“十三五”集成电路...[详细]

日前，由Altium与江苏城市职业技术学校联合推动的《电子产品制图制板》课程，经过多方审核，该已被批准成为江苏省省级“电子设计精品课程”，从而将为实现该省及周边地区电子设计人才的长远发展提供有力的帮助与支持。长久以来，Altium一直致力于不断加强与各大中院校之间的合作，旨在为中国高校建设提供人才培养的强大助力，为中国电子设计行业发展贡献力量。“江苏省及周边省市是中国电子技...[详细]

MagnaChip日前宣布，可提供汽车级功率产品的0.13微米BCD工艺。BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）是一种将三种不同的处理技术结合到一个芯片上：包括用于模拟信号控制的Bipolar（双极金属氧化物半导体）和用于数字信号控制的CMOS和DMOS（DoubleDiffusedMetalOxideSemiconductor）。BCD主要应用于高功率应用，目前MagnaChi...[详细]

Intel公司宣布了新的人事变动——现任董事长安迪·布莱恩特（AndyBryant）卸任，董事长一职将由美敦力CEO、Intel独董奥马尔·伊什拉克（OmarIshrak）接任，另外艾丽莎·亨利（AlyssaHenry）则会担任独董一职。安迪·布莱恩特从2012年5月份担任Intel董事长，在这个职位上已经做了七年之多，不过2019年3月份他就表态不会继续参选新一任董事长，今年...[详细]

11月21日消息，SK海力士刚刚宣布开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，与TB太字节不同）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存。据介绍，此321层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层...[详细]