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HER152G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AC, DO-15, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小177KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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HER152G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AC, DO-15, 2 PIN

HER152G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-204AC
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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HER151G thru HER158G
Glass Passivated High Efficient Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 1.5 Amperes
Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
Mechanical Data
Case: Molded plastic DO-204AC(DO-15)
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, Method 208
guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed:
250
o
C/10 seconds .375” (9.5mm) lead
lengths at 5 lbs., (2.3kg) tension
Mounting position: Any
Weight: 0.014 ounce, 0.40 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
.375" (9.5mm) lead length @T
A
=55
o
C
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage @ 1.5A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
@ T
A
=25
o
C
@ T
A
=125
o
C
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
T
J
T
STG
50
50
-55 to +150
-55 to +150
1.0
5.0
150
75
30
H ER
151G
50
35
50
H ER
152G
100
70
100
H ER
153G
200
140
200
H ER
154G
300
210
300
1.5
H ER
155G
400
280
400
H ER
156G
600
420
600
H ER
157G
800
560
800
H ER
158G
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
50.0
1.3
1.7
Amps
Volts
uA
uA
nS
pF
o
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Notes:
C
C
o
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
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