Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BAT81S

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BAT81S: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小284KB，共4页; 制造商优先(苏州)半导体; 官网地址http://www.excel-semi.com/

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BAT81S概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

BAT81S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	优先(苏州)半导体
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最大输出电流	0.03 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	40 V
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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BAT81S/BAT82S/BAT83S

Schottky Barrier Diode

Features

1. Very low switching time

2. High reliability

3. Low leakage current

4. low forward voltage drop

5. Low capacitance

Applications

Diode for low currents with a low supply voltage

Small battery charger

HF-Detector

Protection circuit

DC/DC converter for notebooks

Protection circuit ……

Absolute Maximum Ratings

=25℃

Parameter

Reverse voltage

Test Conditions

Type

BAT81S

BAT82S

BAT83S

Repetitive peak forward current

Peak forward surge current

Forward current

Junction temperature

Storage temperature range

=1 s

Symbol

RRM

FRM

FSM

stg

Value

150

500

125

-65~+150

Unit

℃

Stresses exceeding maximum ratings may damage the device. Maximum ratings are stress ratings only. Functional operation above the

recommended operating conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may

affect device reliability.

Excel Semiconductor

www.excel-semi.com

FaxBack +86-512-67606917

Rev. 3g, 1-Sep-2009

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