NT6VH64T64BI-T3,NT6VH64T64BI-T3 pdf中文资料,NT6VH64T64BI-T3引脚图,NT6VH64T64BI-T3电路-Datasheet-电子工程世界

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NT6VH64T64BI-T3: 产品描述Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM; 文件大小3MB，共81页; 制造商南亚科技(Nanya); 官网地址http://www.nanya.com/cn; 南亚科技股份有限公司以成为最佳DRAM(动态随机存取记忆体)之供应商为目标，强调以服务客户为导向，透过与夥伴们紧密的合作，强化产品的研发与制造，进而提供客户全方位产品及系统解决方案。面对持续成长的利基型DRAM市场，南亚科技除了提供从128Mb到8Gb产品，更持续拓展产品多元化。主要的应用市场包括数位电视、机上盒(STB)、网通、平板电脑等智慧电子系统、车用及工规等产品。同时，为满足大幅成长的行动与穿戴装置市场需求，南亚科技更专注於研发及制造低功耗记忆体产品。近年来，南亚科技积极经营利基型记忆体市场，专注於低功耗与客制化核心产品线的研发。在制程进度上，更导入20奈米制程技术，致力於生产DDR4和LPDDR4产品，期能进一步提升整体竞争力。南亚科技也将持续强化高附加价值利基型记忆体战线与完美的客户服务，强化本业营运绩效，确保所有股东权益，创造企业永续经营之价值。

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NT6VH64T64BI-T3概述

Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM

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