Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 3DD13003L8D

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3DD13003L8D: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小782KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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3DD13003L8D概述

Transistor

3DD13003L8D规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

3DD13003L8D

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

Power switching applications

Good high temperature

Low saturation voltage

High speed switching

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

TO-126

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

350

200

1.25

150

-55~150

Unit

℃

CIRCUIT:

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

CEO

EBO

FE(1)

FE(2)

FE(3)

CE(sat)1

Collector-emitter saturation voltage

CE(sat)2

CE(sat)3

Base-emitter saturation voltage

Emitter-Collector forward voltage

Storage time

Transition frequency

BE(sat)1

BE(sat)2

ECF

Test conditions

= 1mA,I

=10mA,I

=1mA,I

=350V,I

=200V,I

=9V,I

=5V, I

=0.2A

=5V, I

=1mA

=5V, I

=2A

=0.5A,I

=0.1A

=1A,I

=0.2A

=2A,I

=0.4A

=0.5A,I

=0.1A

=1A,I

=0.2A

=2A

=250mA (UI9600)

=10V, I

=0.5A

0.5

1.5

µs

MHz

Min

350

200

100

Typ

Max

Unit

µA

15-20

CLASSIFICATION OF h

FE(1)

Range

10-15

20-25

25-30

30-35

35-40

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

2-2.5

(µs )

2.5-3(µs )

3-3.5(µs )

3.5-4 (µs )

A,Dec,2010

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