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ST2N5401

产品描述PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors
文件大小81KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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ST2N5401概述

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors

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laowen_110 stm32/stm8
TMS320F28335 ADC模块的学习
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jinglixixi 国产芯片交流
ADI经典6本电子书
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CAB盲自适应波束形成性能分析及改进算法
分析CAB盲自适应波束形成算法中有限采样数据导致的sinc窗循环泄漏效应及其在循环频率误差存在时的性能.提出一种改进的CAB算法——遗忘因子CAB算法(F-CAB),该算法无需对循环频率进行估计.理论分析表明,在F-CAB算法中估计循环相关矩阵时引入遗忘因子可以大大降低算法对循环频率误差的敏感性.由仿真结果可知,在循环频率误差比较小的情况下,F-CAB算法具有良好的性能....
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