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HY61C68K55

产品描述Standard SRAM, 4KX4, 55ns, CMOS, CDIP20
产品类别存储    存储   
文件大小394KB,共6页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY61C68K55概述

Standard SRAM, 4KX4, 55ns, CMOS, CDIP20

HY61C68K55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1156992248
包装说明DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量20
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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