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2.0SMCJ24AT/R13

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 2000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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2.0SMCJ24AT/R13概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 2000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

2.0SMCJ24AT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压30.7 V
最小击穿电压26.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散2000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压24 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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2.0SMCJ22A SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PEAK PULSE POWER 2000 Watts
STAND-OFF VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
0.245(6.22)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
22~24 Volts
0.128(3.25)
• Built-in strain relief
• Glass passivated junction
• Low inductance
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AB,Molded plastic over passivated junction.
• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Standard Packaging:16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.007 ounce, 0.021 gram
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation (I
PP
x V
CMAX
) at T
A
= 25
O
C ( Notes 1,2,4 )
Peak Pulse Current on 10/1000s waveform ( Notes 1 )
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on
Rated Load (JEDEC Method) ( Notes 3 )
Typical Thermal Resistance Junction to Air ( Notes 2 )
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
I
PPM
I
FSM
R
JA
T
J
,T
STG
0.108(2.75)
Value
2000
See table
200
82
-55 to +150
0.220(5.59)
• Low profile package
Units
Watts
Amps
Amps
O
C/W
O
C
Reverse
Stand-off
Voltage
Part Number
V
RWM
(Notes 5)
Breakdown
Voltage
V
BR
@ I
T
Test
Current
I
T
Reverse
Leakage
I
R
@ V
RWM
A
1
1
Max. Clamp
Voltage
10/1000s
V
C
@ I
PP
V
35.5
38.9
Peak Pulse
Current
10/1000s
I
PP
A
56.3
51.4
AEX
AEZ
Marking
Code
Mi n.
V
2.0SMCJ22A
2.0SMCJ24A
22
24
V
24.4
26.7
Max.
V
28
30.7
mA
1
1
NOTES :
1. Non-repetitive current pulse.
2. Mounted on 2.0mm
2
( .013mm thick) land areas.
3. Measured on 8.3ms , single half sine-wave or equivalent square wave , duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
4. Peak pulse power waveform is 10/1000μs.
5. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
March 15,2011-REV.01
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