Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5367BT/R13

文档预览

1N5367BT/R13: 产品描述Zener Diode, 43V V(Z), 9.41%, 5W, Silicon, Unidirectional, DO-201AE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小446KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

1N5367BT/R13概述

Zener Diode, 43V V(Z), 9.41%, 5W, Silicon, Unidirectional, DO-201AE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

1N5367BT/R13规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-201AE
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JEDEC-95代码	DO-201AE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-50 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W
认证状态	Not Qualified
标称参考电压	43 V
表面贴装	NO
技术	ZENER
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	9.41%
工作测试电流	30 mA
Base Number Matches	1

1N5367BT/R13文档预览

下载PDF文档

全文
预览

DATA SHEET

1N5333B~1N5388B

GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES

VOLTAGE

FEATURES

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Low profile package

• Built-in strain relief

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Typical I

less than 1.0µA above 13V

.375(9.5)

.285(7.2)

1.0(25.4)MIN.

3.3 to 200 Volts

CURRENT

5.0 Watts

DO-201AE

Unit: inch(mm)

.042(1.07)

.037(0.94)

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• Pb free product are available : 99% Sn can meet Rohs environment

substance directive request

MECHANICALDATA

Case: JEDEC DO-201AE molded plastic

Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202G, Method 208

Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar

Mounting Position: Any

Weight: 0.045 ounce, 1.2 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

DC Power Dissipation on T

=75

C ,Measure at Zero Lead Length

Derate above 50

C ( NOTE 1)

Operating Junction and StorageTemperature Range

Symbol

Value

5.0

-50 to +150

Units

Watts

mW /

, T

STG

1.0(25.4)MIN.

.210(5.3)

.188(4.8)

NOTE:

1.Mounted on 8.0mm

copper pads to each terminal.

REV.0-MAR.23.2005

PAGE . 1

推荐资源

三相多开关Buck型整流电路

DC-DC转换器原理图

将78XX系列固定电压电路改变为可调电压的电路

T6668应用电路

水塔自动供水控制电路

单线遥控水泵电路

MATLAB在FPGA开发中的应用: ...; 白丁 FPGA/CPLD

zzuCOSII在VS2010上移植: 本帖最后由 darktemple 于 2017-7-18 11:20 编辑初学ucosII的朋友可以不用vc6.0那种古老的编译环境了！ ...; darktemple 实时操作系统RTOS

STM32F103CBADC自效准有bug吗？: 用32F103CB AD测量6路电池电压，范围1－28V电压只通过电阻分压直接输入AD管脚，采用6路循环DMA自动采集方式，通过数字滤波基本可以到2mV内的跳动，现在碰到一个奇怪的现象：进行多次上电， ......; 三生石 stm32/stm8

lm3s 811 被弄得锁死了: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:33 编辑今天背啊，同学借板子玩，就把JATG锁死了，挨。教训啊，我应该说清楚的。又要等着换芯片啊。挑战啊。换个开发板，大家有什么推荐的吗？谢谢大家 ......; 493025560 电子竞赛

NJR_Wearable_Shanghai_201608: 280565 ...; lemonade815 汽车电子

集成电路的检测方法: 编者按：虽说集成电路代换有方，但拆卸毕竟较麻烦。因此，在拆之前应确切判断集成电路是否确实已损坏及损坏的程度，避免盲目拆卸。本文介绍了仅用万用表作为检测工具的不在路和在路检测集成电路 ......; fighting 测试/测量

小广播

热搜元器件