电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5257C-35T/R

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

1N5257C-35T/R概述

Zener Diode, 33V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N5257C-35T/R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗58 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压33 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差10%
工作测试电流3.8 mA
Base Number Matches1

1N5257C-35T/R文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
1N5221B~1N5267B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P ar m et r
a
e
P ow erD i si aton atTam b = 25
s p i
Juncton Tem per t r
i
aue
S t r ge Tem per t r R ange
oa
aue
Vald pr vi ed t atl ads ata di t nce of8m m fom case ar keptatam bi ntt m per t r .
i o d
h e
sa
r
e
e e
aue
O
S ym bol
Val e
u
500
175
- 5 t +175
6 o
U nis
t
mW
O
C
P
TO T
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Mi n.
--
--
Typ.
Max.
0.3*
1.1
Uni ts
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 1
【设计工具】最新版本FPGA辅助设计工具robei3.0(界面美观,便携,易学易懂。。。)
83430新出的软件未破解,不能仿真,但是可以辅助代码输入,本人初学,在写顶层连接图时很吃力(需要先用笔画出各个输入输出后在写顶层文件),我用着款软件帮助写顶层连接图,使用图形方法连接 ......
lidonglei1 FPGA/CPLD
C51智能反编译器
可以将BIN或HEX代码文件反编译成汇编程序。 本帖最后由 lycdl 于 2008-7-10 12:18 编辑 ]...
忙忙草 51单片机
初级问题请教? 8155芯片的PA口地址是怎么确定的呀?
请问一下各位, 8155芯片的PA口地址是怎么定的? 我查了datasheet, 里面说: PA register --- this register can be programmed to be either input or output ports, depending on the status o ......
zhangwf 嵌入式系统
【创龙TL570x-EVM】测评03 - 评估板测试手册
【创龙TL570x-EVM】测评03- 评估板测试手册 一、评估测试手册 611388 二、个人测试内容 由于硬件资源限制,评估板测试手册内容涉及到的外部模块功能没有进行测试,手册内3节-7节没 ......
小火苗 DSP 与 ARM 处理器
DLPNIRscan Nano评估模块揭秘
【转】NIRscan Nano评估模块的爱好者们:为了将DLP NIRscan Nano评估模块(EVM)的硬件及光引擎解释清楚,我拆解了一个早期由Coretronic公司生产的模块。需要注意的是,任何对光引擎的拆解会使NIR ......
好大一阵风 DSP 与 ARM 处理器
了解一些放大器电路设计中问题(转)
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:10 编辑 一、缺少直流偏置电流回路  最常见的应用问题之一是在交流耦合运算放大器或仪表放大器电路应用中,没有为偏置电流提供直流回路。图1中,一个电 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved